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BD138
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 60 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteBD138
No. Parte Newark05M3402
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo60V
Voltaje Máx. Colector a Emisor60V
Corriente de Colector DC1.5A
Corriente del Colector Continua1.5A
Disipación de Potencia1.25W
Disipación de Potencia Pd1.25W
Diseño de TransistorTO-126
Ganancia de Corriente DC hFE40hFE
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición-
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.250hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El BD138 es un transistor plano epitaxial de silicio PNP montado en un paquete de plástico JEDEC. Está diseñado para amplificadores y controladores de audio que utilizan circuitos complementarios o cuasi complementarios.
- El tipo complementario NPN es BD135
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
60V
Corriente del Colector Continua
1.5A
Disipación de Potencia Pd
1.25W
Ganancia de Corriente DC hFE
40hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
250hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
60V
Corriente de Colector DC
1.5A
Disipación de Potencia
1.25W
Diseño de Transistor
TO-126
Montaje de Transistor
Through Hole
Frecuencia de Transición
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BD138
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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