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BUL1102E
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 450 V, 2 A, 70 W, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteBUL1102E
No. Parte Newark25M7918
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.570 |
| 10+ | $1.950 |
| 100+ | $1.310 |
| 500+ | $1.120 |
| 1000+ | $1.060 |
| 3000+ | $1.010 |
| 10000+ | $0.973 |
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Mínimo: 1
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$2.57
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteBUL1102E
No. Parte Newark25M7918
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo450V
Voltaje Máx. Colector a Emisor450V
Corriente de Colector Continua2A
Disipación de Potencia70W
Disipación de Potencia Pd70W
Corriente de Colector DC2A
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Núm. de Contactos3Pines
Frecuencia de Transición-
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.35hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
450V
Disipación de Potencia
70W
Corriente de Colector DC
2A
Montaje de Transistor
Through Hole
Frecuencia de Transición
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
450V
Corriente de Colector Continua
2A
Disipación de Potencia Pd
70W
Diseño de Transistor
TO-220
Núm. de Contactos
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
35hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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