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M2TP80M12W2-2LA
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV/30A, ACEPACK DMT
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteM2TP80M12W2-2LACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark46AM3104
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $72.650 |
| 5+ | $67.970 |
| 10+ | $63.270 |
| 25+ | $58.590 |
| 50+ | $56.240 |
| 100+ | $53.900 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$72.65
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteM2TP80M12W2-2LACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark46AM3104
Configuración de Módulo MOSFETFourPack
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id30A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.114ohm
Diseño de TransistorACEPACK DMT
No. de Pines32Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
FourPack
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.114ohm
No. de Pines
32Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
ACEPACK DMT
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
-
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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