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PD85035-E
RF FET, 8A, 40V, POWERSO-10RF
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricantePD85035-ECopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante50 semanas
No. Parte Newark93AM9360
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193 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $34.060 |
| 5+ | $30.990 |
| 10+ | $27.920 |
| 25+ | $26.690 |
| 50+ | $25.460 |
| 100+ | $24.700 |
| 250+ | $23.890 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$34.06
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricantePD85035-ECopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante50 semanas
No. Parte Newark93AM9360
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id8A
Disipación de Potencia95W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.870MHz
Diseño de TransistorPowerSO-10RF
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.165°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Disipación de Potencia
95W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
870MHz
No. de Pines
3Pines
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
-
Diseño de Transistor
PowerSO-10RF
Temperatura de Trabajo Máx.
165°C
Montaje de Transistor
Surface Mount
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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