Imprimir página
SCT011H75G3AG
SIC MOSFET, N-CH, 750V, 110A, H2PAK
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT011H75G3AGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante70 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)49AM4720RL
Cinta adhesiva49AM4720
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 70 semana(s)
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $24.880 | $24.88 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $24.88 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $24.880 |
| 50+ | $23.390 |
| 100+ | $21.600 |
| 250+ | $20.160 |
| 500+ | $18.580 |
| 1000+ | $17.500 |
| 2500+ | $16.680 |
| 5000+ | $15.750 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT011H75G3AGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante70 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)49AM4720RL
Cinta adhesiva49AM4720
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id110A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds750V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.015ohm
Diseño de TransistorH2PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia652W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
110A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.015ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
750V
Diseño de Transistor
H2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
652W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto