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SCT012H90G3AG
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, H2PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT012H90G3AGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante8 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)04AM0269RL
Cinta adhesiva04AM0269
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 8 semana(s)
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Re-reeling (Rollos a medida) | 1 | $24.730 | $24.73 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $24.73 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $24.730 |
| 50+ | $16.100 |
| 100+ | $15.790 |
| 250+ | $15.500 |
| 500+ | $15.190 |
| 1000+ | $14.880 |
| 2500+ | $14.590 |
| 5000+ | $14.280 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT012H90G3AGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante8 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)04AM0269RL
Cinta adhesiva04AM0269
Intensidad Drenador Continua Id110
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0158
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2
Disipación de Potencia625
Temperatura de Trabajo Máx.175
Especificaciones técnicas
Intensidad Drenador Continua Id
110
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0158
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
625
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
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Certificado de conformidad del producto