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SCT012W90G3AG
SIC MOSFET, N-CH, 900V, 110A, HIP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark47AM2253
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $21.710 |
| 5+ | $20.650 |
| 10+ | $19.590 |
| 25+ | $18.500 |
| 50+ | $17.340 |
| 100+ | $16.990 |
| 250+ | $16.480 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT012W90G3AGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante6 semanas
No. Parte Newark47AM2253
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id110A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0158ohm
Diseño de TransistorHiP247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia625W
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
110A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0158ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900V
Diseño de Transistor
HiP247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
625W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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