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SCT018H65G3AG
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 55 A, 650 V, 0.027 ohm, H2PAK
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $32.550 |
| 10+ | $26.660 |
| 25+ | $26.610 |
| 50+ | $26.550 |
| 100+ | $26.500 |
| 250+ | $25.840 |
| 500+ | $25.830 |
| 1000+ | $23.310 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT018H65G3AG
No. Parte Newark04AM0270
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id55A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.027ohm
Diseño de TransistorH2PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia385W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
55A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.027ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
H2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
385W
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto