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SCT020HU120G3AG
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 100A, HU3PAK-7
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 12 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $23.190 |
| 10+ | $18.980 |
| 25+ | $18.350 |
| 50+ | $17.700 |
| 100+ | $17.070 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$23.19
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT020HU120G3AG
No. Parte Newark22AM0335
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id100A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.028ohm
Diseño de TransistorHU3PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia555W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.028ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
HU3PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
555W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Pendiente
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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