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SCT025H120G3-7
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 55A, H2PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT025H120G3-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark11AN8893
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 17 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $20.980 |
| 50+ | $20.550 |
| 100+ | $20.140 |
| 250+ | $19.720 |
| 500+ | $19.300 |
| 1000+ | $18.880 |
| 2500+ | $18.470 |
| 5000+ | $18.040 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$20.98
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT025H120G3-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark11AN8893
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id55A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.037ohm
Diseño de TransistorH2PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia375W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (05-Nov-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
55A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.037ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (05-Nov-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
H2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
375W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (05-Nov-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto