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SCT025H120G3AG
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 55 A, 1.2 kV, 0.037 ohm, H2PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT025H120G3AGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo14AM7981
Re-reeling (Rollos a medida)14AM7980RL
Cinta adhesiva14AM7980
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 6 semana(s)
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $19.460 | $19.46 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $19.46 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $19.460 |
| 50+ | $12.040 |
| 100+ | $11.800 |
| 250+ | $11.560 |
| 500+ | $11.320 |
| 1000+ | $11.080 |
| 2500+ | $10.830 |
| 5000+ | $10.600 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1000+ | $15.960 |
| 3000+ | $13.970 |
| 5000+ | $11.580 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT025H120G3AGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo14AM7981
Re-reeling (Rollos a medida)14AM7980RL
Cinta adhesiva14AM7980
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id55
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.037
Diseño de TransistorH2PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2
Disipación de Potencia375
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
55
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.037
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
H2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
375
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto