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Cantidad | Precio en USD |
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10+ | $9.190 |
25+ | $8.820 |
50+ | $8.450 |
100+ | $8.080 |
250+ | $7.760 |
500+ | $7.430 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT055TO65G3
No. Parte Newark22AM0337
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id30A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.072ohm
Diseño de TransistorTO-LL
No. de Pines8Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia234W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.072ohm
No. de Pines
8Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
TO-LL
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
234W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Pendiente
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto