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SCT20N120AG
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, TO-247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT20N120AGCopiar
No. Parte Newark69AH2149
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT20N120AGCopiar
No. Parte Newark69AH2149
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.169
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia153
Temperatura de Trabajo Máx.200
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.169
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
Disipación de Potencia
153
Rango de Producto
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto