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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTH35N65G2V-7AG
No. Parte Newark50AJ6008
Hoja de datos técnicos
937 En Stock
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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $17.510 |
10+ | $15.950 |
25+ | $15.450 |
50+ | $14.940 |
100+ | $14.440 |
250+ | $14.140 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTH35N65G2V-7AG
No. Parte Newark50AJ6008
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id45A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorH2PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.2V
Disipación de Potencia208W
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.2V
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
45A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045ohm
Diseño de Transistor
H2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
208W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto