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ST8L65N044M9
MOSFET, N-CH, 650V, 58A, POWERFLAT HV ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteST8L65N044M9
No. Parte Newark46AM3163
Rango de ProductoMDmesh M9 Series
300 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $8.360 |
| 10+ | $7.590 |
| 25+ | $7.250 |
| 50+ | $6.600 |
| 100+ | $6.120 |
| 250+ | $5.580 |
| 500+ | $5.350 |
| 1000+ | $5.080 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$8.36
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteST8L65N044M9
No. Parte Newark46AM3163
Rango de ProductoMDmesh M9 Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id58A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.044ohm
Diseño de TransistorPowerFLAT HV
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia166W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMDmesh M9 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
58A
Diseño de Transistor
PowerFLAT HV
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
166W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.044ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
MDmesh M9 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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