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ST8L65N050DM9
MOSFET, N-CH, 650V, 55A, POWERFLAT
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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Tiempo de entrega estándar del fabricante49 semanas
No. Parte Newark12AN0216
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $10.170 |
| 50+ | $7.570 |
| 100+ | $6.380 |
| 250+ | $6.110 |
| 500+ | $5.830 |
| 1000+ | $5.590 |
| 2500+ | $5.450 |
| 5000+ | $5.310 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteST8L65N050DM9Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante49 semanas
No. Parte Newark12AN0216
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id55A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.05ohm
Diseño de TransistorPowerFLAT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia167W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
55A
Diseño de Transistor
PowerFLAT
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
167W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.05ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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