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STB12N60DM2AG
MOSFET, N-CH, 600V, 10A, TO-263
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark11AN9653
Rango de ProductoMDmesh DM2 Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.270 |
| 50+ | $2.930 |
| 100+ | $2.190 |
| 250+ | $2.050 |
| 500+ | $1.900 |
| 1000+ | $1.750 |
| 2500+ | $1.710 |
| 5000+ | $1.670 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB12N60DM2AGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark11AN9653
Rango de ProductoMDmesh DM2 Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id10A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.43ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia125W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMDmesh DM2 Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (05-Nov-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
10A
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.43ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh DM2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (05-Nov-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (05-Nov-2025)
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