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STF12N50M2
MOSFET, N-CH, 500V, 10A, TO-220FP
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF12N50M2
No. Parte Newark45AC7556
Rango de ProductoMDmesh II Plus
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF12N50M2
No. Parte Newark45AC7556
Rango de ProductoMDmesh II Plus
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id10
Resistencia de Activación Rds(on)0.325ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.325
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd85W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia85
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh II Plus
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza STF12N50M2
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia de Activación Rds(on)
0.325ohm
Diseño de Transistor
TO-220FP
Disipación de Potencia Pd
85W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh II Plus
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
10
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.325
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
85
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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