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STH12N120K5-2AG
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 7A, H2PAK-2
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTH12N120K5-2AGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark11AN9695
Rango de ProductoMDmesh K5 Series
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $16.170 |
| 50+ | $10.790 |
| 100+ | $10.440 |
| 250+ | $10.230 |
| 500+ | $10.030 |
| 1000+ | $9.820 |
| 2500+ | $9.610 |
| 5000+ | $9.410 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$16.17
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTH12N120K5-2AGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark11AN9695
Rango de ProductoMDmesh K5 Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Intensidad Drenador Continua Id7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.9ohm
Diseño de TransistorH2PAK-2
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia266W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMDmesh K5 Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (05-Nov-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
7A
Diseño de Transistor
H2PAK-2
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
266W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.9ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh K5 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (05-Nov-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (05-Nov-2025)
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