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STP100N8F6
MOSFET, N-CH, 80V, 100A, TO-220
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP100N8F6Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante5 semanas
No. Parte Newark51AM4762
Rango de ProductoSTripFET F6 Series
Su número de pieza
267 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.620 |
| 10+ | $1.420 |
| 100+ | $1.140 |
| 500+ | $1.030 |
| 1000+ | $0.930 |
| 2500+ | $0.797 |
| 10000+ | $0.778 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.62
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP100N8F6Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante5 semanas
No. Parte Newark51AM4762
Rango de ProductoSTripFET F6 Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.009ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia176W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoSTripFET F6 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
176W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.009ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
STripFET F6 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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