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STP20N65M5
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 18 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP20N65M5
No. Parte Newark45AC7706
Rango de ProductoMDmesh V
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 10+ | $2.580 |
| 25+ | $2.580 |
| 50+ | $2.570 |
| 100+ | $2.570 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP20N65M5
No. Parte Newark45AC7706
Rango de ProductoMDmesh V
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id18
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.16
Resistencia de Activación Rds(on)0.16ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd130W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia130
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh V
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.16
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
130W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh V
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
18
Resistencia de Activación Rds(on)
0.16ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
130
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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