Imprimir página
STP60NF06L.
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-220, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP60NF06L.
No. Parte Newark28AC3447
Su número de pieza
8,000 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles
¿Necesita más?
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.560 |
| 10+ | $2.060 |
| 100+ | $1.250 |
| 500+ | $0.986 |
| 1000+ | $0.909 |
| 2500+ | $0.843 |
| 10000+ | $0.802 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.56
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP60NF06L.
No. Parte Newark28AC3447
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia de Activación Rds(on)0.014ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.014
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd110W
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Diseño de TransistorTO-220
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia110
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STP60NF06L de STMicroelectronics es un MOSFET de potencia STripFET II de canal N de 60V y orificio pasante en paquete TO-220. Este MOSFET de potencia está diseñado en un proceso exclusivo de sTripFET que minimiza la capacitancia de entrada y la carga de la puerta, por lo que es adecuado como interruptor principal en convertidores CD-CD aislados de alta eficiencia avanzados para aplicaciones informáticas y de telecomunicaciones, y está diseñado para cualquier aplicación con accionamiento de carga de puerta baja.
- Capacidad excepcional de dv/dt
- Avalancha probada
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 60V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 15V
- Corriente continua de drenaje (Id) de 60A
- Disipación de potencia (Pd) de 110W
- Baja resistencia de estado encenddo de 12mohm a Vgs 10V
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -65°C hasta 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.014ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.014
Disipación de Potencia Pd
110W
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia
110
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto