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STP9NK70Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 700 V, 4 A, 1 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP9NK70ZCopiar
No. Parte Newark33R1294
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark33R1294
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds700
Intensidad Drenador Continua Id4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1
Resistencia de Activación Rds(on)1ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd115W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia115
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4
Resistencia de Activación Rds(on)
1ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
115W
Disipación de Potencia
115
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
700
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto