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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW15NK90Z
No. Parte Newark33R1318
Rango de ProductoSuperMESH Series
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW15NK90Z
No. Parte Newark33R1318
Rango de ProductoSuperMESH Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900V
Intensidad Drenador Continua Id9.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0.4ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.55ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd350W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia350W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSuperMESH Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STW15NK90Z es un MOSFET de potencia Zener protegido por canal N de 900 V desarrollado con tecnología SuperMESH™, que se logra a través de la optimización de un diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido. Además de reducir significativamente la resistencia, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes. Carga de compuerta mejorada y menor disipación de energía para cumplir con los exigentes requisitos de eficiencia actuales.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- 100% prueba de avalancha
- Carga de puerta minimizada
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.4ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
350W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
SuperMESH Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
9.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.55ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
350W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
