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STW30N65M5
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW30N65M5
No. Parte Newark45AC7785
Rango de ProductoMDmesh V
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $8.330 |
| 10+ | $5.240 |
| 25+ | $5.020 |
| 60+ | $4.780 |
| 120+ | $4.560 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW30N65M5
No. Parte Newark45AC7785
Rango de ProductoMDmesh V
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id22
Resistencia de Activación Rds(on)0.125ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.125
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd140W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia140
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh V
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0.125ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh V
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
22
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.125
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
140W
Disipación de Potencia
140
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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