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STW65N045M9-4
MOSFET, CANAL N, 650V, 54A, TO-247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark79AK5150
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $10.630 |
| 10+ | $7.780 |
| 25+ | $7.370 |
| 60+ | $7.040 |
| 120+ | $6.760 |
| 270+ | $6.430 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW65N045M9-4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark79AK5150
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id54A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.039ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia312W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
54A
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
312W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.039ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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