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STWA65N65DM2AG
MOSFET, N-CH, 650V, 60A, TO-247LL
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTWA65N65DM2AGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark12AN0181
Rango de ProductoMDmesh DM2 Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $13.250 |
| 10+ | $9.770 |
| 25+ | $9.030 |
| 50+ | $8.280 |
| 100+ | $7.800 |
| 250+ | $7.390 |
| 500+ | $6.960 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$13.25
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTWA65N65DM2AGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark12AN0181
Rango de ProductoMDmesh DM2 Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id60A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.05ohm
Diseño de TransistorTO-247LL
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia446W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMDmesh DM2 Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (05-Nov-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Diseño de Transistor
TO-247LL
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
446W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.05ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh DM2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (05-Nov-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (05-Nov-2025)
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