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VNP10N07-E
MOSFET de Potencia, Canal N, 70 V, 5 A, 0.1 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteVNP10N07-E
No. Parte Newark33R1489
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| 10+ | $2.580 |
| 100+ | $2.160 |
| 500+ | $2.040 |
| 1000+ | $1.870 |
| 2500+ | $1.600 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteVNP10N07-E
No. Parte Newark33R1489
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds70
Intensidad Drenador Continua Id5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1
Resistencia de Activación Rds(on)0.1ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd50W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia50
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El VNP10N07-E es un dispositivo monolítico MOSFET de potencia totalmente autoprotegido con protección ESD. El VNP10N07 es un dispositivo monolítico fabricado con la tecnología VIPower de STMicroelectronics, diseñado para reemplazar los MOSFET de potencia estándar en aplicaciones de CD a 50kHz. El apagado térmico incorporado, la limitación de corriente lineal y la abrazadera de sobretensión protegen el chip en entornos hostiles. La retroalimentación de falla se puede detectar al monitorear el voltaje en el pin de entrada.
- Desconexión térmica
- Abrazadera integrada
- Retroalimentación de diagnóstico a través del pin de entrada
- Baja corriente extraída del pin de entrada
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
70
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.1ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
50W
Disipación de Potencia
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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