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TQM2N7002CU RFG
MOSFET, N-CH, 60V, 310MA, SOT-323
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FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteTQM2N7002CU RFGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark12AN0573
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 22 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 10+ | $0.193 |
| 50+ | $0.159 |
| 100+ | $0.124 |
| 250+ | $0.109 |
| 500+ | $0.094 |
| 1000+ | $0.085 |
| 2500+ | $0.083 |
| 5000+ | $0.082 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 10
Múltiple: 10
$1.93
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Información del producto
FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteTQM2N7002CU RFGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark12AN0573
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id310mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.1ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia568mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
310mA
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
568mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.1ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidad del producto