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CSD19534Q5AT
MOSFET, N-CHANNEL, 100V, 50A, VSON-8
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.080 |
| 10+ | $2.990 |
| 25+ | $2.880 |
| 50+ | $2.810 |
| 100+ | $2.720 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteTEXAS INSTRUMENTS
No. Parte FabricanteCSD19534Q5AT
No. Parte Newark29AH3846
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id50A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0151ohm
Diseño de TransistorVSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia63W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
VSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
63W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
50A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0151ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Alternativas para el número de pieza CSD19534Q5AT
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
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