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CSD23202W10T
MOSFET, P CH, -12V, -2.2A, DSBGA-4
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FabricanteTEXAS INSTRUMENTS
No. Parte FabricanteCSD23202W10T
No. Parte Newark29AH3849
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.150 |
| 10+ | $1.880 |
| 25+ | $1.810 |
| 50+ | $1.750 |
| 100+ | $1.700 |
| 250+ | $1.660 |
| 500+ | $1.630 |
| 1000+ | $1.620 |
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Información del producto
FabricanteTEXAS INSTRUMENTS
No. Parte FabricanteCSD23202W10T
No. Parte Newark29AH3849
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12V
Intensidad Drenador Continua Id2.2A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.044ohm
Diseño de TransistorDSBGA
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente600mV
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
DSBGA
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
2.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.044ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
600mV
Disipación de Potencia
1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
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