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2SK2009(TE85L,F)
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte Fabricante2SK2009(TE85L,F)
No. Parte Newark10AK1273
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id200
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2
Diseño de TransistorTO-236MOD
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)2.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Disipación de Potencia200
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-236MOD
Voltaje de Prueba Rds(on)
2.5
Disipación de Potencia
200
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto