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2SK3075(TE12L,Q)
RF FET, 30V, 5A, SMD ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte Fabricante2SK3075(TE12L,Q)Copiar
No. Parte Newark86AK6758
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 33 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1000+ | $4.530 |
| 2000+ | $4.400 |
| 4000+ | $4.130 |
| 6000+ | $3.950 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 1000
Múltiple: 1000
$4,530.00
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte Fabricante2SK3075(TE12L,Q)Copiar
No. Parte Newark86AK6758
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id5A
Disipación de Potencia20W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.520MHz
Diseño de TransistorSMD
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Disipación de Potencia
20W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
520MHz
No. de Pines
4Pines
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Intensidad Drenador Continua Id
5A
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
-
Diseño de Transistor
SMD
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Surface Mount
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Alternativas para el número de pieza 2SK3075(TE12L,Q)
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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