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HN1B04FE-GR,LF(T
Arreglo de Transistores Bipolares, NPN y PNP Complementario, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteHN1B04FE-GR,LF(T
No. Parte Newark99AK9446
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN y PNP Complementario
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor50
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor50
Corriente NPN de Colector Continua150
Corriente PNP de Colector Continua150
Disipación de Potencia NPN100
Disipación de Potencia PNP100
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD200
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD200
Diseño de TransistorSOT-563
No. de Pines6Pines
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.150
Frecuencia de Transición NPN80
Frecuencia de Transición PNP80
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN y PNP Complementario
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
50
Corriente PNP de Colector Continua
150
Disipación de Potencia PNP
100
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD
200
No. de Pines
6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Frecuencia de Transición PNP
80
Calificación
-
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
50
Corriente NPN de Colector Continua
150
Disipación de Potencia NPN
100
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD
200
Diseño de Transistor
SOT-563
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición NPN
80
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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