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SSM3J356R,LF(T
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $0.416 |
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| 50+ | $0.236 |
| 100+ | $0.197 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3J356R,LF(T
No. Parte Newark09AK7965
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.3ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-23F
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia1
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.3ohm
Diseño de Transistor
SOT-23F
Voltaje de Prueba Rds(on)
4
Disipación de Potencia
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
2
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SSM3J356R,LF(T
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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