Imprimir página
SSM3J356R,LF(T
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3J356R,LF(T
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)09AK7965
Cinta adhesiva09AK7965
Su número de pieza
66 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 6 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.555 | $0.56 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.56 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.555 |
| 10+ | $0.427 |
| 25+ | $0.292 |
| 50+ | $0.242 |
| 100+ | $0.203 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3J356R,LF(T
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)09AK7965
Cinta adhesiva09AK7965
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id2A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.3ohm
Diseño de TransistorSOT-23F
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-23F
Voltaje de Prueba Rds(on)
4V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.3ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
Disipación de Potencia
1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SSM3J356R,LF(T
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto