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SSM3J56MFV,L3F(T
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 800 mA, 0.39 ohm, SOT-723, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3J56MFV,L3F(T
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)09AK7966
Cinta adhesiva09AK7966
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|---|---|---|---|
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.339 |
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| 25+ | $0.176 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM3J56MFV,L3F(T
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)09AK7966
Cinta adhesiva09AK7966
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id800mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.39ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-723
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia150mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.39ohm
Diseño de Transistor
SOT-723
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
800mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia
150mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SSM3J56MFV,L3F(T
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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