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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6K361NU,LF(T
No. Parte Newark03AM3051
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
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2,930 En Stock
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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $0.522 |
10+ | $0.431 |
25+ | $0.382 |
50+ | $0.344 |
100+ | $0.297 |
250+ | $0.263 |
500+ | $0.213 |
1000+ | $0.205 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6K361NU,LF(T
No. Parte Newark03AM3051
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id3.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.069ohm
Diseño de TransistorSOT-1220
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia1.25W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.5A
Diseño de Transistor
SOT-1220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.069ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
U-MOSVIII-H Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
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