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SSM6L35FE,LM(T
MOSFET, N-P-CH, 20V, 0.18A, SOT-563 ROHS COMPLIANT: YES
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| 50+ | $0.156 |
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| 500+ | $0.087 |
| 1000+ | $0.072 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6L35FE,LM(T
No. Parte Newark01AM0635
Tipo de CanalN and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N180mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P100mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente3ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente8ohm
Diseño de TransistorSOT-563
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N150mW
Disipación de Potencia de Canal P150mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
100mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
8ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
150mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
180mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
3ohm
Diseño de Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia de Canal N
150mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto