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SSM6L40TU,LF(T
MOSFET, N/P-CH, 30V, 1.4/1.6A, SOT-363F ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.506 |
| 10+ | $0.391 |
| 25+ | $0.327 |
| 50+ | $0.275 |
| 100+ | $0.233 |
| 250+ | $0.200 |
| 500+ | $0.164 |
| 1000+ | $0.140 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6L40TU,LF(T
No. Parte Newark03AM3057
Tipo de CanalN and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N1.6A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P1.4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.122ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.226ohm
Diseño de TransistorSOT-363F
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N500mW
Disipación de Potencia de Canal P500mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
1.4A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.226ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
500mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
1.6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.122ohm
Diseño de Transistor
SOT-363F
Disipación de Potencia de Canal N
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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