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SSM6L61NU,LF(T
MOSFET Dual, Canal N y P, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.025 ohm
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6L61NU,LF(T
No. Parte Newark09AK7990
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.025
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.025
Diseño de TransistorUDFN
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1
Disipación de Potencia de Canal P1
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.025
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.025
Diseño de Transistor
UDFN
Disipación de Potencia de Canal N
1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SSM6L61NU,LF(T
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto