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SSM6L61NU,LF(T
MOSFET Dual, Canal N y P, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.025 ohm
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6L61NU,LF(T
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)09AK7990
Cinta adhesiva09AK7990
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.044 | $0.04 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.04 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD | Precio promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $0.640 | $0.044 |
| 10+ | $0.490 | $0.044 |
| 25+ | $0.409 | $0.044 |
| 50+ | $0.343 | $0.044 |
| 100+ | $0.288 | $0.044 |
| 250+ | $0.245 | $0.044 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6L61NU,LF(T
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)09AK7990
Cinta adhesiva09AK7990
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.025ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.025ohm
Diseño de TransistorUDFN
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1W
Disipación de Potencia de Canal P1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Alternativas para el número de pieza SSM6L61NU,LF(T
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.025ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.025ohm
Diseño de Transistor
UDFN
Disipación de Potencia de Canal N
1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto