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SSM6N15AFU,LF(T
MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.3 ohm
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6N15AFU,LF(T
No. Parte Newark09AK7991
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N100mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P100mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente2.3ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente2.3ohm
Diseño de TransistorSOT-363
Núm. de Contactos6Pines
Disipación de Potencia de Canal N300mW
Disipación de Potencia de Canal P300mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
100mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
2.3ohm
Núm. de Contactos
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
300mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
100mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
2.3ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
300mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SSM6N15AFU,LF(T
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto