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SSM6N57NU,LF(T
MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.528 |
| 10+ | $0.405 |
| 25+ | $0.338 |
| 50+ | $0.283 |
| 100+ | $0.238 |
| 250+ | $0.202 |
| 500+ | $0.166 |
| 1000+ | $0.140 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6N57NU,LF(T
No. Parte Newark09AK7993
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.03ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.03ohm
Diseño de TransistorSOT-1118
Núm. de Contactos6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1W
Disipación de Potencia de Canal P1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.03ohm
Núm. de Contactos
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.03ohm
Diseño de Transistor
SOT-1118
Disipación de Potencia de Canal N
1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto