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SSM6N813R,LXHF(T
MOSFET, DUAL N-CH, 100V, 3.5A, TSOP-F ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6N813R,LXHF(TCopiar
No. Parte Newark97AK7978
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
Su número de pieza
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6N813R,LXHF(TCopiar
No. Parte Newark97AK7978
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.112ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorTSOP-F
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.5W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
U-MOSVIII-H Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.112ohm
Diseño de Transistor
TSOP-F
Disipación de Potencia de Canal N
1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto