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SSM6P49NU,LF(T
MOSFET Dual, Canal P, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.036 ohm
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.600 |
| 10+ | $0.461 |
| 25+ | $0.383 |
| 50+ | $0.322 |
| 100+ | $0.270 |
| 250+ | $0.230 |
| 500+ | $0.188 |
| 1000+ | $0.160 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6P49NU,LF(T
No. Parte Newark09AK7995
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.036
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.036
Diseño de TransistorUDFN
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1
Disipación de Potencia de Canal P1
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.036
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.036
Diseño de Transistor
UDFN
Disipación de Potencia de Canal N
1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto