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TPW4R50ANH,L1Q(M
MOSFET, N-CH, 100V, 92A, DSOP
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.230 |
| 10+ | $2.830 |
| 25+ | $2.560 |
| 50+ | $2.280 |
| 100+ | $1.990 |
| 250+ | $1.710 |
| 500+ | $1.550 |
| 1000+ | $1.480 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPW4R50ANH,L1Q(M
No. Parte Newark09AK9039
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id92
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3700µohm
Diseño de TransistorDSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia142
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
DSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
142
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
92
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3700µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto