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XPH3R908QB,L1XHQ(O
MOSFET, N-CH, 80V, 80A, WFSOP ADVANCE
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteXPH3R908QB,L1XHQ(OCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark12AN1226
Rango de ProductoU-MOSX-H Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.500 |
| 50+ | $2.200 |
| 100+ | $1.990 |
| 250+ | $1.780 |
| 500+ | $1.550 |
| 1000+ | $1.330 |
| 2500+ | $1.210 |
| 5000+ | $1.140 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteXPH3R908QB,L1XHQ(OCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark12AN1226
Rango de ProductoU-MOSX-H Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id80A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0039ohm
Diseño de TransistorWFSOP Advance
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia132W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoU-MOSX-H Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
80A
Diseño de Transistor
WFSOP Advance
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
132W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0039ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
U-MOSX-H Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidad del producto