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XPH6R30ANB,L1XHQ(O
MOSFET, N-CH, 100V, 45A, SOP ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteXPH6R30ANB,L1XHQ(O
No. Parte Newark83AK8356
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
4,970 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.390 |
| 10+ | $2.100 |
| 25+ | $1.890 |
| 50+ | $1.700 |
| 100+ | $1.480 |
| 250+ | $1.270 |
| 500+ | $1.150 |
| 1000+ | $1.100 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteXPH6R30ANB,L1XHQ(O
No. Parte Newark83AK8356
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id45A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6300µohm
Diseño de TransistorSOP Advance
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia132W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoU-MOSVIII-H Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
45A
Diseño de Transistor
SOP Advance
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
132W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6300µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
U-MOSVIII-H Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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