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IRFBG30PBF
Power MOSFET, N Channel, 3.1 A, 1 kV, 5
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFBG30PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark38K2473
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.150 |
| 10+ | $1.750 |
| 25+ | $1.630 |
| 50+ | $1.500 |
| 100+ | $1.320 |
| 500+ | $1.190 |
| 1000+ | $1.030 |
| 2500+ | $0.923 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFBG30PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark38K2473
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1kV
Intensidad Drenador Continua Id3.1A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia125W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Alternativas para el número de pieza IRFBG30PBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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