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IRFD320PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 400 V, 490 mA, 1.8 ohm, HVMDIP, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFD320PBFCopiar
No. Parte Newark19K8159
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds400
Intensidad Drenador Continua Id490
Resistencia de Activación Rds(on)1.8ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.8
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd1.3W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorHVMDIP
Disipación de Potencia1.3
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
400
Resistencia de Activación Rds(on)
1.8ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
HVMDIP
No. de Pines
4Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
490
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.8
Disipación de Potencia Pd
1.3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
1.3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto