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IRFP150PBF
MOSFET, N
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFP150PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante73 semanas
No. Parte Newark92Y3549
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.360 |
| 10+ | $2.830 |
| 25+ | $2.650 |
| 50+ | $2.480 |
| 100+ | $2.250 |
| 500+ | $2.080 |
| 1000+ | $1.870 |
| 2500+ | $1.720 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFP150PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante73 semanas
No. Parte Newark92Y3549
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id41A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.055ohm
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia230W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247AC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
41A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.055ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
230W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Alternativas para el número de pieza IRFP150PBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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